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離子束輔助鍍膜是近些年出現(xiàn)的新技術(shù)，在磁場和電場的作用下，閉環(huán)遷移的電子與氣體碰撞放電形成離子，電場將離子引出加速發(fā)射，離子帶有能量，具有能量的離子與電子聚集形成等離子體。

因普通物理清洗、烘干方式無法完全去除被鍍工件表面污染物，而進行鍍膜前，徹底的清潔處理至關(guān)重要，則使用該技術(shù)，借助等離子體深度清洗、轟擊、刻蝕被鍍工件，清除表面結(jié)合力弱的分子，并活化基體，從而提高膜層結(jié)合力，改善晶體結(jié)構(gòu)。

因其成膜原子能量低、膜層附著力差但沉積速率快、鍍制膜系廣泛、可優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)改善薄膜生長等特點，該技術(shù)一般不用于鍍制膜層，只用于清洗、轟擊、輔助沉積等。

在實際中，我們通過離子源電源實現(xiàn)該技術(shù)，除上述特點外，離子源電源還能提升氣體離化率和活化度，與金屬離子高效結(jié)合。重復(fù)性及一致性高，適用于工業(yè)化批量生產(chǎn)。因其薄膜光學(xué)特性還可用于光學(xué)、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

派立特生產(chǎn)的離子源電源采用進口IGBT搭配先進的MCU,PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，為客戶提供了大范圍連續(xù)平穩(wěn)可調(diào)的電壓、電流、占空比，控制精度高。理性的電壓陡降特性能夠有效地抑制離子源表面的打火現(xiàn)象。極佳的負載匹配能力，既能保證清洗工藝的穩(wěn)定性，還能提高清洗速度。

此外，我司的離子源電源為脈沖輸出，標(biāo)準(zhǔn)電源電壓峰值有2000V或3000V可選。針對寬縫、窄縫不同工藝要求，我們?yōu)榭蛻籼峁┝撕懔鳌⒑銐翰煌ぷ髂Ｊ降碾娫?。通訊接口為本地控制、模擬量和數(shù)字量三種可選，操作更加便捷。當(dāng)然，美觀、輕巧、高穩(wěn)定性等特點，一直是派立特對電源的基礎(chǔ)要求，期待您的咨詢。